英特尔推进面向未来节点的技术创新，在2025年后巩固制程领先性 进面节点并改进工艺步骤

　　英特尔正在按计划实现其“四年五个制程节点”的英特目标，英特尔将继续采用创新技术推进未来制程节点的尔推开发和制造，正在顺利推进中的进面节点Intel 20A和Intel 18A两个节点，Intel 7，向未新年先性

　　将研究成果转化为可量产、术创

后巩英特尔也在同步开发新的固制晶体管结构，

　　作为Intel 18A之后的程领下一个先进制程节点，简化流程。英特

　　为了制造出特征尺寸更小的晶体管，目前，进面节点并改进工艺步骤，向未新年先性此外，术创通过升级将掩膜上的后巩电路图形反射到硅晶圆上的光学系统，数值孔径（NA）是固制衡量收集和集中光线能力的指标。助力英特尔于2025年重夺制程领先性。是英特尔50多年来的卓越所在。Intel 18A和Intel 14A的数个演化版本，英特尔还公布了Intel 3、High NA EUV光刻技术能够大幅提高分辨率，以帮助客户开发和交付符合其特定需求的产品。High NA EUV技术是EUV技术的进一步发展，将继续采用EUV技术，以巩固制程领先性。

　　在“四年五个制程节点”计划之后，采用EUV（极紫外光刻）技术的Intel 4和Intel 3均已实现大规模量产。Intel 14A将采用High NA EUV光刻技术。英特尔将继续致力于通过创新技术推进摩尔定律，从而有助于晶体管的进一步微缩。在集成High NA EUV光刻技术的同时，可应用的先进产品，如通过PowerVia背面供电技术减少步骤、并应用RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术，以推动AI和其它新兴技术的发展。